JOSE GABRIEL RAMIRO LEO

El objetivo básico de la materia es dotar al alumno de los conocimientos
básicos de los principales dispositivos y aplicaciones electrónicas
analógicas en su concepción.

CAPITULO I.   NIVELES Y BANDAS DE ENERGIA. CLASIFICACION DE LA MATERIA.

TEMA 1.  Revisión.
1.1. Naturaleza del átomo.
1.2. El modelo atómico de Borh.
1.3. Niveles de energía en el átomo.
1.4. Propiedades de onda de la materia.
1.5. Estructura electrónica de los átomos.
TEMA 2. Teoría de bandas de energía de los cristales.
2.1. Discusión cualitativa.
2.2. Clasificación de los materiales.
2.3. Aislantes.
2.4. Semiconductores
2.5. Conductores (metales).

CAPITULO II.   CONDUCCIÓN EN METALES.

TEMA 3.  Interior de un metal.
3.1. Campo de energía potencial en un metal.
3.2. Barrera de energía potencial.
3.3. Gas de electrones.
3.4. Velocidad de arrastre.
3.5. Densidad de corriente y conductividad.
TEMA 4. Distribución en energía de los electrones en un metal.
4.1. Densidad de energía.
4.2. Función de probabilidad de Fermi-Dirac.
4.3. Nivel de energía de Fermi.
4.4. Función trabajo.
4.5. Potencial de contacto.

CAPITULO III.   CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTORES.

TEMA 5.  Semiconductores intrínsecos.
5.1. Estructura cristalina.
5.2. Electrones y huecos.
5.3. Conductividad.
5.4. Concentración de portadores.
5.5. Nivel de Fermi.
5.6. Concentración intrínseca.
TEMA 6.Semiconductores extrínsecos.
6.1. Impurezas donadoras y aceptoras.
6.2. Densidad de carga.
6.3. Conductividad.
6.4. Nivel de Fermi.
6.5. Difusión.
6.6. Efecto Hall.

CAPITULO IV.  EL DIODO SEMICONDUCTOR.

TEMA 7.  La unión P-N.
7.1. Teoría cualitativa de la unión p-n.
7.2. Polarización inversa.
7.3. Polarización directa.
7.4. La unión p-n en cortocircuito y circuito abierto.
7.5. Potencial de contacto de la unión.
TEMA 8. La unión P-N como diodo.
8.1. Componentes de corriente en un diodo semiconductor.
8.2. Ecuación de la unión polarizada.
8.3. Corriente inversa de saturación.
8.4. Característica tensión-corriente de un diodo.
8.5. Región de ruptura.
TEMA 9. Magnitudes funcionales del diodo.
9.1. Resistencia del diodo.
9.2. Capacidad de transición.
9.3. Capacidad de difusión.
9.4. Tiempo de conmutación de un diodo.


CAPITULO V.  EL TRANSISTOR.

TEMA 10.  El transistor de unión (BJT).
11.1. Morfología.
11.2. Tipo de configuraciones.
11.3. Componentes de corriente.
11.3. Ecuación generalizada del transistor.
11.4. El transistor como amplificador.
11.5. Modelo de Ebers-Moll.
TEMA 11.  Características del transistor.
12.1. Configuración base común (BC).
12.2. Configuración emisor común (EC).
12.3. Configuración colector común (CC).
TEMA 12.  El transistor de efecto de campo de unión (JFET).
12.1. Clasificación de los transistores unipolares.
12.2. Ventajas e inconvenientes frente a los bipolares.
12.3. Morfología del JFET.
12.4. Tensión de contracción.
12.5. Característica tensión-corriente del JFET.
TEMA 13.  El transistor de efecto de campo de puerta aislada (MOSFET).
13.1. Clasificación.
13.2. MOST de acumulación.
13.3. Característica de drenador.
13.4. Característica de transferencia.
13.5. MOST de deplexión.
13.6. Funciones características.

Prácticas de Laboratorio a desarrollar:
Programa de prácticas.
1.   Estudio del diodo de unión.
2.   Estudio del transistor bipolar.
3.   Estudio del transistor de efecto de campo.

Exposición de conceptos fundamentales y su aplicación en la resolución de
problemas tipo, en clase y sala de informática. Aplicación de Hoja de Cálculo.
Las Práticas de Laboratorio se utilizan como recurso didáctico en relación al
desarrollo teórico-práctico de las clases.

Nº de Horas (indicar total): 180

• Clases Teóricas: 20  
• Clases Prácticas: 30  
• Exposiciones y Seminarios:  
• Tutorías Especializadas (presenciales o virtuales):
  • Colectivas: 3  
  • Individules:  
• Realización de Actividades Académicas Dirigidas:
  • Con presencia del profesorado: 7  
  • Sin presencia del profesorado: 28  
• Otro Trabajo Personal Autónomo:
  • Horas de estudio: 80  
  • Preparación de Trabajo Personal: 12  
  • ...
     
• Realización de Exámenes:
  • Examen escrito: 4  
  • Exámenes orales (control del Trabajo Personal):  

TECNICAS: Exámen de problemas correspondientes a todo el programa de la
asignatura.
Desarrollo y redacción por parte del alumno de una Memoria de Prácticas de
Laboratorio.
Realización de tests del desarrollo teórico-práctico de la materia.
CRITERIOS: La memoria de Prácticas es condición necesaria pero no suficiente
para superar la asignatura. Nota mínima, 5 sobre 10.
Evaluación final de conocimientos prácticos (problemas). Nota mínima, 4 sobre
10.
Evaluación final voluntaria de conocimientos teórico-prácticos (Test). Nota
mínima, 5 sobre 10.
Coeficiente de participación (CP), factor por el que se multiplica la nota
final, siendo mayor que la unidad y su magnitud dependerá de la actitud del
alumno en el seguimiento de la asignatura a lo largo del curso, asistencia a
clases y tutorías, presentación de trabajos recomendados, comportamiento en las
actividades de grupo, etc.
SISTEMA DE EVALUACIÓN:
Memoria de Prácticas.
Evaluación final de conocimientos prácticos (problemas).
Evaluación final voluntaria de conocimientos teóricos (Test).
Calificación final = CP*(Nota de problemas+(Nota de Prácticas+Nota media de
tests/10))
Nota mínima, 5 sobre 10.
Observación: Tanto la nota de Prácticas de Laboratorio como la de los tests han
de igualar por lo menos el 5 para formar parte de la nota final.

Bibliografía Básica
J. Millman, A. Grabel. Microelectrónica. Ed. Hispano Europea, 1993
Boylestad & Naselsky. Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. Ed. Pearson- Prentice may 2003
D. Schilling., C. Belove. Circuitos Electrónicos discretos e integrados. Mc.
Graw-Hill, 1993.
A. R. Hambley. Electrónica. Prentice Hall, 2001
A.P. Malvino. Principios de Electrónica. Edit. Hispano Europea. 2001
Savant, Rodin, Carpenter. Diseño Electrónico. Addison Wesley Iberoamericana,
1995